簡(jiǎn)介

導(dǎo)電膜是具有導(dǎo)電功能的薄膜。 導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過(guò)程中受到表面和界面的散射，當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí)，在表面和界面的影響將變得顯著，這個(gè)現(xiàn)象稱為薄膜的尺寸效應(yīng)。它等效于載流子的自由程減小，因此與同樣材料的塊體相比，薄膜的電導(dǎo)率較小。

ITO導(dǎo)電膜玻璃

產(chǎn)品描述

氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導(dǎo)電膜玻璃,多通過(guò)ITO導(dǎo)電膜玻璃生產(chǎn)線,在高度凈化的廠房環(huán)境中,利用平面磁控技術(shù),在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導(dǎo)電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術(shù)產(chǎn)品。 [1]

制作方法

ITO導(dǎo)電膜是指采用磁控濺射的方法（ITO 薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應(yīng)離子鍍、化學(xué)氣相沉積、熱解噴涂等, 但使用最多的是反應(yīng)磁控濺射法），在透明有機(jī)薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術(shù)產(chǎn)品。

應(yīng)用領(lǐng)域

產(chǎn)品廣泛地用于液晶顯示器(LCD)、太陽(yáng)能電池、微電子ITO導(dǎo)電膜玻璃、光電子和各種光學(xué)領(lǐng)域。

產(chǎn)品參數(shù)

線性度（MD）：≤1.5%

全光線透過(guò)率：≥86%

表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H

熱穩(wěn)定性：(R-R0)/R: ±20%

熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加熱卷曲：≤10mm

低阻抗柔性ITO導(dǎo)電膜（PET-ITO）

適用于柔性電致變色器件、柔性薄膜太陽(yáng)能電池、柔性EL發(fā)光器件的制備和生產(chǎn)。

薄膜厚度：0.175±10 mm

霧度：<2%

寬度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透過(guò)率：≥ 80%

表面電阻：90±15 Ω/□

面電阻均勻性：<7%

熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0

熱穩(wěn)定性：

高溫：80oC,120hr ≤1.3

低溫：-40oC,120hr ≤1.3

熱循環(huán)：-30oC—80oC ≤1.3

熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

參數(shù)關(guān)系

ITO導(dǎo)電膜的主要參數(shù)有：表面電阻、表面電阻的均勻性、透光率、熱穩(wěn)定性、加熱收縮率、加熱卷曲等。其中光透過(guò)率主要與ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面電阻有關(guān)。在基底材料相同的情況下，ITO膜的表面電阻越小，ITO膜層的厚度越大，光透過(guò)率相應(yīng)的會(huì)有一定程度的減小。

透明導(dǎo)電薄膜

透明導(dǎo)電薄膜是一種既能導(dǎo)電又在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有高透明率的一種薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復(fù)合膜系等。金屬膜系導(dǎo)電性能好，但是透明率差。

發(fā)展現(xiàn)狀

最近幾年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究者分別在低溫制備的設(shè)備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設(shè)計(jì)和制備工藝方面進(jìn)行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯（PC）襯底上制備了厚度為250mm，電阻率為6× ~2（Ω·cm），透過(guò)率為74%~90%；Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上制備了110nmITO，方塊電阻是20O/□，透過(guò)率80%，但是表面的粗糙度較大；法國(guó)的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過(guò)率為85%，電阻率為~0.003Ω·cm，表面粗糙度為15-50，美國(guó)的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積（DMIBD）方法在70℃的條件下制備的ITO薄膜最高透過(guò)率為85%，電阻率為4×Ω·cm，表面質(zhì)量比較高；此外還有一些研究人員利用脈沖激光沉積（PLD），電子束熱蒸發(fā)和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進(jìn)行高質(zhì)量塑基的薄膜制備。

國(guó)內(nèi)的賈永新在150℃基板條件下制備出了透過(guò)率為80%左右ITO薄膜，但沒(méi)有見(jiàn)電阻和表面特性的報(bào)道；近年來(lái)李育峰等利用微波等離子體輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過(guò)率大于85%，但方塊電阻大于100O/□，表面特性沒(méi)有報(bào)道；馬瑾等在塑料襯底上在80℃-100℃的條件下制備出了透過(guò)率大于84%，電阻率~0.001量級(jí)的薄膜。

綜上所述，國(guó)內(nèi)在低溫尤其常溫下制備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠全面；并且研究制備方法也比較單一，與國(guó)外有比較大的差距。近年來(lái)國(guó)外尤其日本和韓國(guó)分別在低溫沉積技術(shù)、薄膜生長(zhǎng)機(jī)理和薄膜表面改性方面進(jìn)行了深入的研究，在保證不對(duì)薄膜襯底產(chǎn)生破壞的情況下，在低溫甚至室溫的條件下制備出了薄膜電阻率低于5×Ω·cm，透過(guò)率大于85%，表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。